Наименование прибора: IPT007N06NМаркировка: 007N06NТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 375 WПредельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 VПороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.3 VМаксимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 300 AМаксимальная температура канала (Tj): 175 °CОбщий заряд затвора (Qg): 216 nCВремя нарастания (tr): 18 nsВыходная емкость (Cd): 3400 pfСопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.00075 OhmТип корпуса: HSOF-8-1